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マスクレス露光装置

独自の高速描画「ポイント・オブ・アレイ方式」を用いて直接パターンを描画する事が可能な装置です。

主な特長
  • 研究開発、試作、小ロット生産などの用途にダイレクトイメージ露光が可能。
  • ハイエンドPCB、高密度パッケージング、フラットパネルディスプレイなどをはじめ、MEMS等の微細加工分野での対応が可能。
  • リソグラフィ工程でのフォトマスクを必要とせず、開発コストやマーケットへの時間差を最小限に抑ることが可能。
  • また、ご要望によりニーズにあった装置構成も対応可能。
マスクレス露光装置
主な仕様
型 式  MX-1201 MX-1201E MX-1205
最小線幅 (※1) [μm] 5  3 2 1
データ分解能 [μm] 0.488  0.25  0.1 0.05
最大基板サイズ [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
有効露光エリア [mm] 200 x 200 200 x 200 100 x 100
主波長 [nm] 405  375 405 + 375 405 375 375
露光スキャン速度 [mm/s] 43.94 22.5 9 4.5
タクトタイム(※2) [s,min] 180 [s]  320 [s] 16 [min] 27 [min]
最大露光量(※3) [mJ/c㎡] 245 70 245 + 70 460 135 50 100


※1 使用するフォトレジスト、膜厚、現像条件等により異なります。
※2 タクトタイムはアライメント時間を含んでおりません。
※3 最大スキャン速度時の数値です。

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