独自の高速描画「ポイントアレイ方式」を用いて直接パターンを描画する事が可能な装置です。

主な特長

  • 研究開発、試作、小ロット生産などの用途にダイレクトイメージ露光が可能。
  • 半導体、電子部品、ハイエンドPCBや高密度パッケージング、MEMS、FPDなどに対応できます。
  • リソグラフィ工程でのフォトマスクを必要とせず、開発コストやマーケットへの時間差を最小限に抑ることが可能。
  • また、ご要望によりニーズにあった装置構成も対応可能。
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マスクレス露光装置

主な仕様

型式MX-1201MX-1201EMX-1205
最小線幅 (※1)[μm] 5321
データ分解能[μm]0.4880.250.10.05
最大基板サイズ[mm]200 x 200200 x 200100 x 100
有効露光エリア[mm]200 x 200200 x 200100 x 100
主波長[nm]405375405 + 375405375375
露光スキャン速度[mm/s]43.9422.594.5
タクトタイム(※2)[s,min]180 [s]320 [s]16 [min]27 [min]
最大露光量(※3)[mJ/c㎡]24570245 + 7046013550100

※1 使用するフォトレジスト、膜厚、現像条件等により異なります。

※2 タクトタイムはアライメント時間を含んでおりません。

※3 最大スキャン速度時の数値です。