独自の高速描画「ポイントアレイ方式」を用いて直接パターンを描画する事が可能な装置です。
主な特長
- 研究開発、試作、小ロット生産などの用途にダイレクトイメージ露光が可能。
- 半導体、電子部品、ハイエンドPCBや高密度パッケージング、MEMS、FPDなどに対応できます。
- リソグラフィ工程でのフォトマスクを必要とせず、開発コストやマーケットへの時間差を最小限に抑ることが可能。
- また、ご要望によりニーズにあった装置構成も対応可能。

主な仕様
型式 | MX-1201 | MX-1201E | MX-1205 | |||||
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最小線幅 (※1) | [μm] | 5 | 3 | 2 | 1 | |||
データ分解能 | [μm] | 0.488 | 0.25 | 0.1 | 0.05 | |||
最大基板サイズ | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | ||||
有効露光エリア | [mm] | 200 x 200 | 200 x 200 | 100 x 100 | ||||
主波長 | [nm] | 405 | 375 | 405 + 375 | 405 | 375 | 375 | |
露光スキャン速度 | [mm/s] | 43.94 | 22.5 | 9 | 4.5 | |||
タクトタイム(※2) | [s,min] | 180 [s] | 320 [s] | 16 [min] | 27 [min] | |||
最大露光量(※3) | [mJ/c㎡] | 245 | 70 | 245 + 70 | 460 | 135 | 50 | 100 |
※1 使用するフォトレジスト、膜厚、現像条件等により異なります。
※2 タクトタイムはアライメント時間を含んでおりません。
※3 最大スキャン速度時の数値です。